| 品番 | MSRTA600120(A) |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 1200V |
| 電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） | 600A (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.2V @ 600A |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 25µA @ 600V |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | 3-SMD Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Three Tower |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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MSRTA200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | 詳細 |
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MSRTA200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | 詳細 |
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MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | 詳細 |
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MSRTA200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | 詳細 |
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MSRTA20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | 詳細 |
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MSRTA20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | 詳細 |
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MSRTA300100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER | 詳細 |
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MSRTA300120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER | 詳細 |
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MSRTA300140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER | 詳細 |
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MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER | 詳細 |
