日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

GB01SLT12-252 - GeneSiC Semiconductor

品番: GB01SLT12-252
メーカー: GeneSiC Semiconductor
簡単な説明: DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: GB01SLT12-252 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: GB01SLT12-252.pdf
カテゴリー: ダイオード - 整流器 - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 7264 pcs
参考価格: USD 3.54/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

GB01SLT12-252 詳細な説明

品番	GB01SLT12-252
部品ステータス	Active
ダイオードタイプ	Silicon Carbide Schottky
電圧 - DC逆（Vr）（最大）	1200V
電流 - 平均整流（Io）	1A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If	1.8V @ 1A
速度	No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr）	0ns
電流 - 逆リーク（Vr）	2µA @ 1200V
容量Vr、F	69pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤデバイスパッケージ	TO-252
動作温度 - ジャンクション	-55°C ~ 175°C
重量	-
原産国	-

関連製品 GB01SLT12-252

画像	品番	メーカー	説明	見る
	GB01SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA	詳細
	GB01SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A	詳細
	GB01SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC	詳細
	GB01SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252	詳細