GA20JT12-263 - GeneSiC Semiconductor

品番	GA20JT12-263
部品ステータス	Active
FETタイプ	-
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	45A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	-
Vgs（th）（Max）@ Id	-
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3091pF @ 800V
Vgs（最大）	-
FET機能	-
消費電力（最大）	282W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	60 mOhm @ 20A
動作温度	175°C (TJ)
取付タイプ	-
サプライヤデバイスパッケージ	-
パッケージ/ケース	-
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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