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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - シングル › 1N1189R
1N1189R

1N1189R - GeneSiC Semiconductor

品番
1N1189R
メーカー
GeneSiC Semiconductor
簡単な説明
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
1N1189R PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
ダイオード - 整流器 - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
20850 pcs
参考価格
USD 7.89663/pcs
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1N1189R 詳細な説明

品番 1N1189R
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Standard, Reverse Polarity
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 600V
電流 - 平均整流（Io） 35A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 1.2V @ 35A
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） -
電流 - 逆リーク（Vr） 10µA @ 50V
容量Vr、F -
取付タイプ Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤデバイスパッケージ DO-5
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 190°C
重量 -
原産国 -

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