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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › FQI13N06TU
FQI13N06TU

FQI13N06TU - Fairchild/ON Semiconductor

品番
FQI13N06TU
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FQI13N06TU PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
FQI13N06TU.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4201 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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FQI13N06TU 詳細な説明

品番 FQI13N06TU
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 13A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 7.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 310pF @ 25V
Vgs（最大） ±25V
FET機能 -
消費電力（最大） 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 135 mOhm @ 6.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 -
原産国 -

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