• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › FQB10N20CTM
FQB10N20CTM

FQB10N20CTM - Fairchild/ON Semiconductor

品番
FQB10N20CTM
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FQB10N20CTM PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
FQB10N20CTM.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3905 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください FQB10N20CTM

FQB10N20CTM 詳細な説明

品番 FQB10N20CTM
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.5A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 26nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 510pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 72W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 360 mOhm @ 4.75A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

関連製品 FQB10N20CTM

画像 品番 メーカー 説明 見る
FQB10N20CTM FQB10N20CTM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK 詳細
FQB10N20L FQB10N20L FAIRC FQB10N20L FAIRC TO-263.. New Original Stocks 詳細
FQB10N20LTM FQB10N20LTM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK 詳細
FQB10N20TM FQB10N20TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK 詳細
FQB10N50CFTM-WS FQB10N50CFTM-WS ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 10A DPAK 詳細
FQB10N50CFTM_WS FQB10N50CFTM_WS Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 10A DPAK 詳細
FQB10N60C FQB10N60C FAIRC FQB10N60C FAIRC TO-263.. New Original Stocks 詳細
FQB10N60CTM FQB10N60CTM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK 詳細
FQB11N40 FQB11N40 FAIRC FQB11N40 FAIRC TO-263.. New Original Stocks 詳細
FQB11N40C FQB11N40C FAIRC FQB11N40C FAIRC TO-263.. New Original Stocks 詳細