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FDN306P - Fairchild/ON Semiconductor

品番: FDN306P
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明: MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: FDN306P PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 82500 pcs
参考価格: USD 0.1608/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

FDN306P 詳細な説明

品番	FDN306P
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.6A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	17nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1138pF @ 6V
Vgs（最大）	±8V
FET機能	-
消費電力（最大）	500mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	40 mOhm @ 2.6A, 4.5V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SuperSOT-3
パッケージ/ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量	-
原産国	-

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