品番 | FDMQ86530L |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 17.5 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 33nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2295pF @ 30V |
電力 - 最大 | 1.9W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 12-WDFN Exposed Pad |
サプライヤデバイスパッケージ | 12-MLP (5x4.5) |
重量 | - |
原産国 | - |