品番 | FDL100N50F |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 500V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 238nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 12000pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2500W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 55 mOhm @ 50A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 |
パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA |
重量 | - |
原産国 | - |