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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › FDI045N10A
FDI045N10A

FDI045N10A - Fairchild/ON Semiconductor

品番
FDI045N10A
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3993 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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FDI045N10A 詳細な説明

品番 FDI045N10A
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 120A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 74nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5270pF @ 50V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 263W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 4.5 mOhm @ 100A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 -
原産国 -

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