• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - JFET › 2N5639
2N5639

2N5639 - Fairchild/ON Semiconductor

品番
2N5639
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
JFET N-CH 30V 0.35W TO92
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
2N5639 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
2N5639.pdf
カテゴリー
トランジスタ - JFET
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4466 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください 2N5639

2N5639 詳細な説明

品番 2N5639
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） 30V
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） -
電流 - ドレイン（Idss）Vds（Vgs = 0） 25mA @ 20V
電流ドレイン（Id） - 最大 -
電圧 - カットオフ（VGSオフ）@ Id -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 10pF @ 12V (VGS)
抵抗 - RDS（オン） 60 Ohm
電力 - 最大 350mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
重量 -
原産国 -

関連製品 2N5639

画像 品番 メーカー 説明 見る
2N0303 2N0303 INFINEON 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks 詳細
2N03L10 2N03L10 INFINEON 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks 詳細
2N1008 2N1008 EXSHINE alloy-junction germanium transistors 詳細
2N1008A 2N1008A EXSHINE alloy-junction germanium transistors 詳細
2N1008B 2N1008B EXSHINE alloy-junction germanium transistors 詳細
2N1011 2N1011 EXSHINE germanium transistors 詳細
2N1016B 2N1016B Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR 詳細
2N1016C 2N1016C Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR 詳細
2N1016D 2N1016D Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR 詳細
2N1057 2N1057 EXSHINE alloy-junction germanium transistors 詳細