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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › EPC2111
EPC2111

EPC2111 - EPC

品番
EPC2111
メーカー
EPC
簡単な説明
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EPC2111 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
106915 pcs
参考価格
USD 1.54/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

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EPC2111 詳細な説明

品番 EPC2111
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 16A (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 5mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース Die
サプライヤデバイスパッケージ Die
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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