EPC2025ENGR

EPC2025ENGR - EPC

品番
EPC2025ENGR
メーカー
EPC
簡単な説明
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3211 pcs
参考価格
USD 7.9772/pcs
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EPC2025ENGR 詳細な説明

品番 EPC2025ENGR
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 300V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 1.85nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 194pF @ 240V
Vgs(最大) +6V, -4V
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 150 mOhm @ 3A, 5V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die Outline (12-Solder Bar)
パッケージ/ケース Die
重量 -
原産国 -

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