| 品番 | EPC2016C |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 3mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 4.5nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 420pF @ 50V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 16 mOhm @ 11A, 5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| パッケージ/ケース | Die |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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