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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › EPC2016C
EPC2016C

EPC2016C - EPC

品番
EPC2016C
メーカー
EPC
簡単な説明
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EPC2016C PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
EPC2016C.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
17570 pcs
参考価格
USD 1.4702/pcs
私達の価格
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EPC2016C 詳細な説明

品番 EPC2016C
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 18A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 3mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 4.5nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 420pF @ 50V
Vgs（最大） +6V, -4V
FET機能 -
消費電力（最大） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs 16 mOhm @ 11A, 5V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die
パッケージ/ケース Die
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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