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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › EPC2015
EPC2015

EPC2015 - EPC

品番
EPC2015
メーカー
EPC
簡単な説明
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EPC2015 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
EPC2015.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
6250 pcs
参考価格
USD 3.9259/pcs
私達の価格
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EPC2015 詳細な説明

品番 EPC2015
部品ステータス Last Time Buy
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 33A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 9mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 11.6nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1200pF @ 20V
Vgs（最大） +6V, -5V
FET機能 -
消費電力（最大） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs 4 mOhm @ 33A, 5V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die Outline (11-Solder Bar)
パッケージ/ケース Die
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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