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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › ZXMN3F31DN8TA
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA - Diodes Incorporated

品番
ZXMN3F31DN8TA
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
ZXMN3F31DN8TA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
10000 pcs
参考価格
USD 0.2783/pcs
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ZXMN3F31DN8TA 詳細な説明

品番 ZXMN3F31DN8TA
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.7A
Rds On（Max）@ Id、Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 12.9nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 608pF @ 15V
電力 - 最大 1.8W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
重量 -
原産国 -

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