| 品番 | ZXGD3001E6QTA |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 駆動構成 | Low-Side |
| チャネルタイプ | Single |
| ドライバ数 | 1 |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET |
| 電圧 - 供給 | 12V (Max) |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 9A, 9A |
| 入力方式 | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | - |
| 立ち上がり/立ち下がり時間（Typ） | 7.3ns, 11ns |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-6 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | 詳細 |
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ZXGD3001E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | 詳細 |
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ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | 詳細 |
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ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | 詳細 |
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ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | 詳細 |
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ZXGD3004E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | 詳細 |
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ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | 詳細 |
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ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | 詳細 |
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ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | 詳細 |
