| 品番 | DMTH6004SK3Q-13 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 95.4nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4556pF @ 30V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.9W (Ta), 180W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.8 mOhm @ 90A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-4L |
| パッケージ/ケース | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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DMTH6002LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060 | 詳細 |
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DMTH6004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8 | 詳細 |
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DMTH6004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 | 詳細 |
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DMTH6004SCT | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 100A TO220-3 | 詳細 |
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DMTH6004SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH | 詳細 |
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DMTH6004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A TO263 | 詳細 |
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DMTH6004SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK | 詳細 |
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DMTH6004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 100A TO252 | 詳細 |
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DMTH6004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8 | 詳細 |
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DMTH6004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | 詳細 |
