品番 | DMT69M8LPS-13 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10.2A (Ta), 70A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 33.5nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1925pF @ 30V |
Vgs(最大) | ±16V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.3W (Ta), 113W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 12 mOhm @ 13.5A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
重量 | - |
原産国 | - |