| 品番 | DMNH10H028SPSQ-13 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 36nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2245pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.6W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 28 mOhm @ 20A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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DMNH10H028SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T | 詳細 |
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DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | 詳細 |
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DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | 詳細 |
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DMNH10H028SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI | 詳細 |
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DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506 | 詳細 |
