DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13 - Diodes Incorporated

品番
DMN3010LFG-13
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
7500 pcs
参考価格
USD 0.2282/pcs
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DMN3010LFG-13 詳細な説明

品番 DMN3010LFG-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11A (Ta), 30A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 37nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2075pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 900mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8.5 mOhm @ 18A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
重量 -
原産国 -

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