• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMN2990UFB-7B
DMN2990UFB-7B

DMN2990UFB-7B - Diodes Incorporated

品番
DMN2990UFB-7B
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET BVDSS 8V-24V X1-DFN1006-
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN2990UFB-7B PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3082762 pcs
参考価格
USD 0.05341/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください DMN2990UFB-7B

DMN2990UFB-7B 詳細な説明

品番 DMN2990UFB-7B
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 780mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1V @ 250A
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.41nC @ 4.5V
Vgs（最大） ±8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 31pF @ 15V
FET機能 -
消費電力（最大） 520mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ X1-DFN1006-3
パッケージ/ケース 3-UFDFN
重量 -
原産国 -

関連製品 DMN2990UFB-7B

画像 品番 メーカー 説明 見る
DMN2990UDJ-7 DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 詳細
DMN2990UDJQ-7 DMN2990UDJQ-7 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963 詳細
DMN2990UFA-7B DMN2990UFA-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 0.51A 詳細
DMN2990UFB-7B DMN2990UFB-7B Diodes Incorporated MOSFET BVDSS 8V-24V X1-DFN1006- 詳細
DMN2990UFO-7B DMN2990UFO-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604 詳細
DMN2990UFZ-7B DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606 詳細