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DMN2011UFDE-13 - Diodes Incorporated

品番: DMN2011UFDE-13
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN2011UFDE-13 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 50000 pcs
参考価格: USD 0.2355/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN2011UFDE-13 詳細な説明

品番	DMN2011UFDE-13
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	11.7A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	1.5V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	84nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3372pF @ 10V
Vgs（最大）	±12V
FET機能	-
消費電力（最大）	610mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース	6-UDFN Exposed Pad
重量	-
原産国	-

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