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DMN2005LP4K-7 - Diodes Incorporated

品番: DMN2005LP4K-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN2005LP4K-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 142500 pcs
参考価格: USD 0.1089/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN2005LP4K-7 詳細な説明

品番	DMN2005LP4K-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	200mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	1.5V, 4V
Vgs（th）（Max）@ Id	900mV @ 100µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	41pF @ 3V
Vgs（最大）	±10V
FET機能	-
消費電力（最大）	400mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.5 Ohm @ 10mA, 4V
動作温度	-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース	3-XFDFN
重量	-
原産国	-

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