DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3 - Diodes Incorporated

品番
DMJ70H900HJ3
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
17500 pcs
参考価格
USD 1.5135/pcs
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DMJ70H900HJ3 詳細な説明

品番 DMJ70H900HJ3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 700V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 18.4nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 603pF @ 50V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 68W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 900 mOhm @ 1.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-251
パッケージ/ケース TO-251-3, IPak, Short Leads
重量 -
原産国 -

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