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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMG3415UFY4-7
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7 - Diodes Incorporated

品番
DMG3415UFY4-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMG3415UFY4-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
252415 pcs
参考価格
USD 0.1035/pcs
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DMG3415UFY4-7 詳細な説明

品番 DMG3415UFY4-7
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 16V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.5A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 10nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 281.9pF @ 10V
Vgs（最大） ±8V
FET機能 -
消費電力（最大） 400mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 39 mOhm @ 4A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DFN2015H4-3
パッケージ/ケース 3-XFDFN
重量 -
原産国 -

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