日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

DMC1229UFDB-7 - Diodes Incorporated

品番: DMC1229UFDB-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMC1229UFDB-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 146094 pcs
参考価格: USD 0.185/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMC1229UFDB-7 詳細な説明

品番	DMC1229UFDB-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N and P-Channel
FET機能	Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	5.6A, 3.8A
Rds On（Max）@ Id、Vgs	29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	19.6nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	914pF @ 6V
電力 - 最大	1.4W
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	6-UDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ	U-DFN2020-6 (Type B)
重量	-
原産国	-

関連製品 DMC1229UFDB-7