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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス › DDTB123YC-7-F
DDTB123YC-7-F

DDTB123YC-7-F - Diodes Incorporated

品番
DDTB123YC-7-F
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
37500 pcs
参考価格
USD 0.0455/pcs
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DDTB123YC-7-F 詳細な説明

品番 DDTB123YC-7-F
部品ステータス Active
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 500mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム） 2.2k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） 10k
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
周波数 - 遷移 200MHz
電力 - 最大 200mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
重量 -
原産国 -

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