| 品番 | A1N4007G-G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 1000V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 1A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.1V @ 1A |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 5µA @ 1000V |
| 容量Vr、F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | DO-204AL, DO-41, Axial |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-41 |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 125°C |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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A1N4007G-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | 詳細 |
