品番 | 1N5819-G |
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部品ステータス | Active |
ダイオードタイプ | Schottky |
電圧 - DC逆(Vr)(最大) | 40V |
電流 - 平均整流(Io) | 1A |
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If | 600mV @ 1A |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
逆回復時間(trr) | - |
電流 - 逆リーク(Vr) | 1mA @ 40V |
容量Vr、F | 110pF @ 4V, 1MHz |
取付タイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | DO-204AL, DO-41, Axial |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-41 |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
重量 | - |
原産国 | - |