品番 | CXDM3069N TR |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.9A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 2.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 11nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 580pF @ 15V |
Vgs(最大) | 12V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.2W (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 30 mOhm @ 7A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-89 |
パッケージ/ケース | TO-243AA |
重量 | - |
原産国 | - |