品番 | CSICD10-650 BK |
---|---|
部品ステータス | Active |
ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
電圧 - DC逆(Vr)(最大) | 650V |
電流 - 平均整流(Io) | 10A (DC) |
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If | 1.7V @ 10A |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
逆回復時間(trr) | 0ns |
電流 - 逆リーク(Vr) | 125µA @ 650V |
容量Vr、F | 325pF @ 1V, 1MHz |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
重量 | - |
原産国 | - |