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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF › NE856M02-T1-AZ
NE856M02-T1-AZ

NE856M02-T1-AZ - CEL

品番
NE856M02-T1-AZ
メーカー
CEL
簡単な説明
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
NE856M02-T1-AZ PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
NE856M02-T1-AZ.pdf
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3787 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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NE856M02-T1-AZ 詳細な説明

品番 NE856M02-T1-AZ
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 12V
周波数 - 遷移 6.5GHz
ノイズ・フィギュア（dB Typ @ f） 1.1dB @ 1GHz
利得 12dB
電力 - 最大 1.2W
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 50 @ 20mA, 10V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-243AA
サプライヤデバイスパッケージ SOT-89
重量 -
原産国 -

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