| 品番 | 1N5767 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| ダイオードタイプ | PIN - Single |
| 電圧 - ピークリバース（最大） | 100V |
| 電流 - 最大 | 100mA |
| 容量Vr、F | 0.4pF @ 50V, 1MHz |
| 抵抗値If、F | 2.5 Ohm @ 100mA, 100MHz |
| 消費電力（最大） | 250mW |
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | 詳細 |
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1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | 詳細 |
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1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | 詳細 |
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1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | 詳細 |
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1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | 詳細 |
