VP2206N3-G

VP2206N3-G - Microchip Technology

品番
VP2206N3-G
メーカー
Microchip Technology
簡単な説明
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2900 pcs
参考価格
USD 1.96/pcs
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VP2206N3-G 詳細な説明

品番 VP2206N3-G
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 640mA (Tj)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 10mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 450pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 740mW (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 900 mOhm @ 3.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
重量 -
原産国 -

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