TN0110N3-G

TN0110N3-G - Microchip Technology

品番
TN0110N3-G
メーカー
Microchip Technology
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4680 pcs
参考価格
USD 0.9/pcs
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TN0110N3-G 詳細な説明

品番 TN0110N3-G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 350mA (Tj)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 500µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 60pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
重量 -
原産国 -

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