• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF › BLP10H610Z
BLP10H610Z

BLP10H610Z - Ampleon USA Inc.

品番
BLP10H610Z
メーカー
Ampleon USA Inc.
簡単な説明
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
BLP10H610Z PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
BLP10H610Z.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1250 pcs
参考価格
USD 20.9346/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください BLP10H610Z

BLP10H610Z 詳細な説明

品番 BLP10H610Z
部品ステータス Active
トランジスタタイプ LDMOS (Dual), Common Source
周波数 860MHz
利得 22dB
電圧 - テスト 50V
電流定格 -
ノイズフィギュア -
電流 - テスト 60mA
電力出力 10W
電圧 - 定格 104V
パッケージ/ケース 12-VDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ 12-HVSON (5x6)
重量 -
原産国 -

関連製品 BLP10H610Z

画像 品番 メーカー 説明 見る
BLP10H603AZ BLP10H603AZ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 詳細
BLP10H603Z BLP10H603Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 詳細
BLP10H605AZ BLP10H605AZ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 詳細
BLP10H605Z BLP10H605Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 詳細
BLP10H610AZ BLP10H610AZ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 詳細
BLP10H610Z BLP10H610Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 詳細
BLP10H6120PGY BLP10H6120PGY Ampleon USA Inc. BLP10H6120PG/SOT1224/REELDP 詳細
BLP10H6120PY BLP10H6120PY Ampleon USA Inc. BLP10H6120P/SOT1223/REELDP 詳細
BLP10H630PGY BLP10H630PGY Ampleon USA Inc. BLP10H630PG/SOT1224/REELDP 詳細
BLP10H630PY BLP10H630PY Ampleon USA Inc. BLP10H630P/SOT1223/REELDP 詳細