• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF › BLF6G22LS-180PN:11
BLF6G22LS-180PN:11

BLF6G22LS-180PN:11 - Ampleon USA Inc.

品番
BLF6G22LS-180PN:11
メーカー
Ampleon USA Inc.
簡単な説明
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
BLF6G22LS-180PN:11 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
BLF6G22LS-180PN:11.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3946 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください BLF6G22LS-180PN:11

BLF6G22LS-180PN:11 詳細な説明

品番 BLF6G22LS-180PN:11
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ LDMOS (Dual), Common Source
周波数 2.11GHz ~ 2.17GHz
利得 17.5dB
電圧 - テスト 32V
電流定格 -
ノイズフィギュア -
電流 - テスト 1.6A
電力出力 50W
電圧 - 定格 65V
パッケージ/ケース SOT-502B
サプライヤデバイスパッケージ SOT502B
重量 -
原産国 -

関連製品 BLF6G22LS-180PN:11

画像 品番 メーカー 説明 見る
BLF6G20-110 BLF6G20-110 NXP BLF6G20-110 NXP SMD New Original Stocks 詳細
BLF6G20-110,112 BLF6G20-110,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A 詳細
BLF6G20-180PN,112 BLF6G20-180PN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A 詳細
BLF6G20-180RN,112 BLF6G20-180RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A 詳細
BLF6G20-230P BLF6G20-230P NXP USA Inc. IC BASESTATION FINAL SOT502A 詳細
BLF6G20-230PRN,112 BLF6G20-230PRN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A 詳細
BLF6G20-230PRN,118 BLF6G20-230PRN,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A 詳細
BLF6G20-40,112 BLF6G20-40,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A 詳細
BLF6G20-45,112 BLF6G20-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A 詳細
BLF6G20-45,135 BLF6G20-45,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A 詳細