• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF › BLF6G10LS-160RN,11
BLF6G10LS-160RN,11

BLF6G10LS-160RN,11 - Ampleon USA Inc.

品番
BLF6G10LS-160RN,11
メーカー
Ampleon USA Inc.
簡単な説明
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
BLF6G10LS-160RN,11 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
BLF6G10LS-160RN,11.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
65 pcs
参考価格
USD 87.59/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください BLF6G10LS-160RN,11

BLF6G10LS-160RN,11 詳細な説明

品番 BLF6G10LS-160RN,11
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ LDMOS
周波数 922.5MHz ~ 957.5MHz
利得 22.5dB
電圧 - テスト 32V
電流定格 39A
ノイズフィギュア -
電流 - テスト 1.2A
電力出力 32W
電圧 - 定格 65V
パッケージ/ケース SOT-502B
サプライヤデバイスパッケージ SOT502B
重量 -
原産国 -

関連製品 BLF6G10LS-160RN,11

画像 品番 メーカー 説明 見る
BLF6G10-135RN,112 BLF6G10-135RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A 詳細
BLF6G10-160RN,112 BLF6G10-160RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A 詳細
BLF6G10-200RN,112 BLF6G10-200RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A 詳細
BLF6G10-45,112 BLF6G10-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A 詳細
BLF6G10-45,135 BLF6G10-45,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A 詳細
BLF6G10L-260PBM,11 BLF6G10L-260PBM,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT1110A 詳細
BLF6G10L-260PBM:11 BLF6G10L-260PBM:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT1110A 詳細
BLF6G10L-260PRN,11 BLF6G10L-260PRN,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A 詳細
BLF6G10L-260PRN:11 BLF6G10L-260PRN:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A 詳細
BLF6G10L-40BRN,112 BLF6G10L-40BRN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A 詳細