品番 | AOV11S60 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 650mA (Ta), 8A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4.1V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 11nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 545pF @ 100V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 8.3W (Ta), 156W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 500 mOhm @ 3.8A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-DFN-EP (8x8) |
パッケージ/ケース | 4-VSFN Exposed Pad |
重量 | - |
原産国 | - |