| 品番 | BARO-DO |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 圧力タイプ | Absolute |
| 作動圧力 | 8.7 PSI ~ 15.95 PSI (60 kPa ~ 110 kPa) |
| 出力タイプ | SPI |
| 出力 | 12 ~ 14 b |
| 正確さ | ±2% |
| 電圧 - 供給 | 7V |
| ポートサイズ | Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual |
| ポートスタイル | Barbless |
| 特徴 | Temperature Compensated |
| 終了スタイル | PCB |
| 最大圧力 | 60 PSI (413.69 kPa) |
| 動作温度 | -20°C ~ 85°C |
| パッケージ/ケース | 6-SIP Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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BAR 14-1 E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23 | 詳細 |
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BAR 15-1 E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23 | 詳細 |
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BAR 50-02L E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 50V 100MA TSLP-2 | 詳細 |
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BAR 50-02V E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 50V 100MA SC-79 | 詳細 |
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BAR 50-02V E6768 | Infineon Technologies | DIODE SIL PIN 50V 100MA SC-79 | 詳細 |
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BAR 50-02V H6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 50V 100MA SC79 | 詳細 |
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BAR 61 E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF DUAL 100V 140M SOT-143 | 詳細 |
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BAR 63-02V E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 50V 100MA 50V SC-79 | 詳細 |
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BAR 63-02V H6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 50V 100MA SC79 | 詳細 |
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BAR 63-02W E6127 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 50V 100MA SCD-80 | 詳細 |
