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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › PHE13009/DG,127
PHE13009/DG,127

PHE13009/DG,127 - WeEn Semiconductors

Numero di parte
PHE13009/DG,127
fabbricante
WeEn Semiconductors
Breve descrizione
TRANS NPN 400V 12A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PHE13009/DG,127 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
12500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.82/pcs
Il nostro prezzo
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PHE13009/DG,127 Descrizione dettagliata

Numero di parte PHE13009/DG,127
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 1.6A, 8A
Corrente - Limite del collettore (max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5A, 5V
Potenza - Max 80W
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Peso -
Paese d'origine -

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