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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › NXPSC04650DJ
NXPSC04650DJ

NXPSC04650DJ - WeEn Semiconductors

Numero di parte
NXPSC04650DJ
fabbricante
WeEn Semiconductors
Breve descrizione
DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NXPSC04650DJ Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1120 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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NXPSC04650DJ Descrizione dettagliata

Numero di parte NXPSC04650DJ
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Corrente - Rettificato medio (Io) 4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 4A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 170µA @ 650V
Capacità @ Vr, F 130pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Temperatura operativa - Giunzione 175°C (Max)
Peso -
Paese d'origine -

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