BYC8-1200PQ - WeEn Semiconductors

Numero di parte	BYC8-1200PQ
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Corrente - Rettificato medio (Io)	8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	3.2V @ 8A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AC
Temperatura operativa - Giunzione	175°C (Max)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BYC8-1200PQ	WeEn Semiconductors	BYC8-1200PQ/TO-220AC/STANDARD MA	Dettagli
BYC8-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC	Dettagli
BYC8-600P,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC	Dettagli
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BYC8B-600,118	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK	Dettagli
BYC8B-600PJ	WeEn Semiconductors	DIODE HYPER FAST 600V 8A D2PAK	Dettagli
BYC8B-600PQP	NXP USA Inc.	DIODE GEN PURP 600V 8A	Dettagli
BYC8D-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC	Dettagli
BYC8DX-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F	Dettagli
BYC8X-600	NXP	BYC8X-600 NXP TO220 New Original Stocks	Dettagli