| Numero di parte | VS-FC80NA20 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 108A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10720pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 405W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 80A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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VS-FA38SA50LCP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 | Dettagli |
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VS-FA40SA50LC | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227 | Dettagli |
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VS-FA72SA50LC | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227 | Dettagli |
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VS-FB180SA10P | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 | Dettagli |
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VS-FB190SA10 | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 | Dettagli |
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VS-FC220SA20 | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | Dettagli |
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VS-FC270SA20 | Vishay Semiconductor Diodes Division | SINGLE SWITCH PWR MODULE SOT-227 | Dettagli |
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VS-FC420SA10 | Vishay Semiconductor Diodes Division | POWER MODULE 100V 435A SOT-227 | Dettagli |
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VS-FC420SA15 | Vishay Semiconductor Diodes Division | SINGLE SWITCH PWR MODULE SOT-227 | Dettagli |
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VS-FC80NA20 | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 108A | Dettagli |
