VS-40MT120UHTAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte	VS-40MT120UHTAPBF
Stato parte	Active
Tipo IGBT	NPT
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	80A
Potenza - Max	463W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	4.91V @ 15V, 80A
Corrente - Limite del collettore (max)	250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	8.28nF @ 30V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	12-MTP Module
Pacchetto dispositivo fornitore	MTP
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
VS-40MT120UHAPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 80A 463W MTP	Dettagli
VS-40MT120UHTAPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 80A 463W MTP	Dettagli
VS-40MT160KPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PHASE MTP	Dettagli
VS-40MT160P-P	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PH 45A 1600V MTP	Dettagli
VS-40MT160PAPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PHASE MTP	Dettagli
VS-40MT160PBPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD 3PH BRIDGE 1600V MTP	Dettagli