| Numero di parte | VQ2001P-2 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 4 P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 600mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1A, 12V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | 14-DIP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 14-DIP |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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VQ2004J | SILICONI | VQ2004J SILICONI DIP14 New Original Stocks | Dettagli |
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