VB40100G-E3/4W - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte	VB40100G-E3/4W
Stato parte	Active
Configurazione diodi	1 Pair Common Cathode
Tipo diodo	Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	810mV @ 20A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	500µA @ 100V
Temperatura operativa - Giunzione	-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
VB40100C	VISHAY	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A	Dettagli
VB40100C-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263	Dettagli
VB40100C-E3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263	Dettagli
VB40100C-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-263AB	Dettagli
VB40100C-M3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-263AB	Dettagli
VB40100CHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263	Dettagli
VB40100G	VISHAY	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A	Dettagli
VB40100G-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263	Dettagli
VB40100G-E3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263	Dettagli
VB40120C	VISHAY	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A	Dettagli