| Numero di parte | VB20100C-M3/8W |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 100V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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VB20100C | VISHAY | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A | Dettagli |
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VB20100C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 | Dettagli |
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VB20100C-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 | Dettagli |
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VB20100C-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-263AB | Dettagli |
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VB20100C-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-263AB | Dettagli |
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VB20100CHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 | Dettagli |
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VB20100S | VISHAY | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A | Dettagli |
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VB20100S-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO263AB | Dettagli |
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VB20100S-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO263AB | Dettagli |
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VB20100S-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-263AB | Dettagli |
