| Numero di parte | SUM90220E-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 64A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SUM90140E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK | Dettagli |
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SUM90142E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK | Dettagli |
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SUM90220E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK | Dettagli |
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SUM90330E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 35.1A D2PAK | Dettagli |
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SUM90N03-2M2P | VISHAY | SUM90N03-2M2P VISHAY TO-263 New Original Stocks | Dettagli |
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SUM90N03-2M2P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK | Dettagli |
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SUM90N04-3M3P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK | Dettagli |
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SUM90N06-4M4P | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
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SUM90N06-4M4P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK | Dettagli |
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SUM90N06-5M5P | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
